專注于半導體電性能測試
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數(shù)字化轉(zhuǎn)型提速,5G 、人工智能及云端高性能算法(AI/HPC)的應(yīng)用帶動集成電路(Integrated Circuit, IC)技術(shù)不斷升級,芯片電路結(jié)構(gòu)復雜程度和元件集成度持續(xù)增加,測試難度和測試成本亦隨之攀升。
集成電路測試貫穿了從設(shè)計、生產(chǎn)到實際應(yīng)用的全過程,大致分為:
- 設(shè)計階段的設(shè)計驗證測試
- 晶圓制造階段的工藝監(jiān)控測試
- 封裝前的晶圓測試
- 封裝后的成品測試
芯片測試應(yīng)用現(xiàn)狀
芯片測試作為芯片設(shè)計、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區(qū)別缺陷、驗證器件是否符合設(shè)計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數(shù)測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)及FVMI(加電壓測電流)。
傳統(tǒng)的芯片電性能測試需要數(shù)臺儀表完成,如電壓源、電流源、萬用表等,然而由數(shù)臺儀表組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程復雜又耗時,又占用過多測試臺的空間,而且使用單一功能的儀表和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的不確定性及更慢的總線傳輸速度等缺陷,無法滿足高效率測試的需求。
實施芯片電性能測試的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU),數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。
此外,由于芯片的規(guī)模和種類迅速增加,很多通用型測試設(shè)備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規(guī)?;臏y試效率極低。特別是在生產(chǎn)和老化測試時,往往要求在同一時間內(nèi)完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務(wù)。
基于普賽斯CS系列多通道插卡式數(shù)字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數(shù)的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數(shù)據(jù)的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結(jié)構(gòu),背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發(fā)總線,滿足多卡設(shè)備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發(fā)功能強、多設(shè)備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道。
圖1:普賽斯CS系列插卡式源表
(10插卡及3插卡,高至40通道)
基于數(shù)字源表SMU的芯片測試方案
使用普賽斯數(shù)字源表進行芯片的開短路測試(Open/Short Test)、漏電流測試(Leakage Test)以及DC參數(shù)測試(DC Parameters Test)。
1、開短路測試(O/S測試)
開短路測試(Open-Short Test,也稱連續(xù)性或接觸測試),用于驗證測試系統(tǒng)與器件所有引腳的電接觸性,測試的過程是借用對地保護二極管進行的,測試連接電路如下所示:
圖2:開短路測試線路連接示意
2、漏電流測試
漏電流測試,又稱為Leakage Test,漏電流測試的目的主要是檢驗輸入Pin腳以及高阻狀態(tài)下的輸出Pin腳的阻抗是否夠高,測試連接電路如下所示:
圖3:漏電流測試線路連接示意
3、DC參數(shù)測試
DC參數(shù)的測試,一般都是Force電流測試電壓或者Force電壓測試電流,主要是測試阻抗性。一般各種DC參數(shù)都會在Datasheet里面標明,測試的主要目的是確保芯片的DC參數(shù)值符合規(guī)范:
圖4:DC參數(shù)測試線路連接示意
測試案例
測試系統(tǒng)配置
Case 01 NCP1377B 開短路測試
測試 PIN 腳與 GND 之間連通狀態(tài),測試過程中SMU選擇3V量程,施加-100μA電流,限壓-3V,測量電壓結(jié)果表 1 所示,電壓結(jié)果在-1.5~-0.2 之間,測試結(jié)果 PASS。
*測試線路連接參照圖2
圖5:NCP1377B開短路測試結(jié)果
Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數(shù)測試
光電耦合器主要由兩部分組成:光的發(fā)射端及光的接收端。光的發(fā)射端主要由發(fā)光二極管構(gòu)成,二極管的管腳為光耦的輸入端。光的接收端主要是光敏晶體管, 光敏晶體管是利用 PN 結(jié)在施加反向電壓時,在光線照射下反向電阻由大變小的原理來工作的,晶體管的管腳為光耦的輸出端。
案例采用兩臺SMU進行測試,一臺SMU與器件輸入端連接,作為恒流源驅(qū)動發(fā)光二極管并測量輸入端相關(guān)參數(shù),另一臺SMU與器件輸出端連接,作為恒壓源并測量輸出端的相關(guān)參數(shù)。
*測試線路連接參照圖4
圖6:BVECO 測試數(shù)據(jù)及曲線
圖7:ICEO測試數(shù)據(jù)及曲線
圖8:輸入特性曲線
圖9:輸出特性曲線