專注于半導體電性能測試
當前位置:首頁 > 新聞中心 > 行業(yè)動態(tài)
IGBT 模塊作為電能變換與控制的核心組件之一,被稱為電力電子裝置的“CPU”,高效節(jié)能減排的主力軍。以往IGBT 模塊的生產(chǎn)商主要集中在日本和歐洲等國家,近年來,IGBT的國產(chǎn)替代進入高速增長期,形成了一個良性的迭代循環(huán)的過程。
今天我們來看一看關于IGBT,你必須知道的一些事~
什么是IGBT?
IGBT又叫絕緣柵雙極性晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。IGBT結合了MOSFET低驅動電流和三極管低導通電阻的優(yōu)勢,相比于MOSFET制造難度更高、結構更復雜,可承受的電壓也更大。
IGBT的作用是什么?
IGBT的主要功能是通過脈寬調制,把輸入的直流電變成一定頻率的交流電,或者把交流電變成直流電,主要用于變頻逆變和其他逆變電路。IGBT的工作性能與電力電子裝置的整機性能息息相關,而驅動電路決定IGBT模塊能否安全工作。
IGBT在應用中有什么優(yōu)點?
IGBT可承受1000V以上的高電壓,具有高輸入阻抗、低導通壓降、高速開關特性和低導通狀態(tài)損耗等特點,在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。
IGBT分為哪幾個種類?
IGBT按電壓等級劃分,覆蓋600-6500V不等;按芯片工藝劃分,分為穿通型(PT)、
非穿通型(NPT)、場終止型(FS-NPT,LPT、SPT類似);按柵結構劃分,分為平面柵和溝槽柵;按產(chǎn)品形態(tài)劃分,又分為單管分立器件、模塊和功率集成。
IGBT主要的半導體材料是什么?
主流的IGBT芯片普遍采用硅(Si) 材料,但隨著硅(Si) 器件物理性能達到極限,碳化硅(SiC)等寬禁帶器件成為必然趨勢。
IGBT的測試應該注意哪些參數(shù)?
近年來IGBT的應用越來越廣泛,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。接下來,我們們通過一則小視頻來進一步了解IGBT的性能測試。
欲知更多半導體電性能測試技術或方案,您還可以掃碼留言,我們將安排技術專家與您聯(lián)系!