專注于半導(dǎo)體電性能測(cè)試
隨著III-V族新型半導(dǎo)體材料的快速發(fā)展與創(chuàng)新應(yīng)用,針對(duì)氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和其它一些化合物半導(dǎo)體的特征表征,如何像直流測(cè)量那樣,輕松實(shí)現(xiàn)超快的I-V源和測(cè)量操作?如何通過使用窄脈沖和/或低占空比脈沖,而不是直流信號(hào)來防止器件的自熱效應(yīng)?如何滿足既需要超快電壓輸出,又需要同步高靈敏度電流測(cè)量的應(yīng)用需求?
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