MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體 器 件，可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) 字 電 路 當 中 。 MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管 等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有 輸 入 / 輸 出 特 性 曲 線、閾 值 電 壓 VGS(th)、漏 電 流 IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。

        受器件結(jié)構(gòu)本身的影響,在實驗室科研工作者或者測試工程師常見會碰到以下測試難題:

（1）由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個測 量模塊協(xié)同測試，而且MOSFET動態(tài)電流范圍大，測試 時需要量程范圍廣，測量模塊的量程需要可以自動切 換； 

（2）柵氧的漏電與柵氧質(zhì)量關(guān)系極大，漏電增加到 一定程度即可構(gòu)成擊穿，導(dǎo)致器件失效，因此MOSFET 的漏電流越小越好，需要高精度的設(shè)備進行測試； 

（3）隨著MOSFET特征尺寸越來越小，功率越來越 大，自加熱效應(yīng)成為影響其可靠性的重要因素，而脈沖 測 試 可 以 減 少 自 加 熱 效 應(yīng) ，利 用 脈 沖 模 式 進 行 MOSFET的I-V測試可以準確評估、表征其特性；

（4）MOSFET的電容測試非常重要，且與其在高頻 應(yīng)用有密切關(guān)系。不同頻率下C-V曲線不同，需要進行 多頻率、多電壓下的C-V測試，表征MOSFET的電容特 性。

        使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度 臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進行測試。

輸入/輸出特性測試

        MOSFET是用柵電壓控制源漏電流的器件,在某一固定漏源電壓下,可測得一條IDs~VGs關(guān)系曲線,對應(yīng)一組階梯漏源電壓可測得一簇直流輸入特性曲線。 MOSFET在某一固定的柵源電壓下所得IDS~VDS 關(guān)系即為直流輸出特性，對應(yīng)一組階梯柵源電壓可測 得一簇輸出特性曲線。 根據(jù)應(yīng)用場景的不同，MOSFET器件的功率規(guī)格 也不一致。針對1A以下的MOSFET器件，推薦2臺S系 列源表搭建測試方案，最大電壓300V，最大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。

        針對最大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推 薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其最大電壓 300V，最大電流10A。

        針對最大電流為10A~100A的MOSFET功率器件， 推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，最大電 流高達100A。

閾值電壓VGS（th) 

        VGS(th)是指柵源電壓能使漏極開始有電流的VG S 值;測試儀表推薦S系列源表。

漏電流測試 

        IGSS(柵源漏電流)是指在特定的柵源電壓情況下 流過柵極的漏電流；IDSS(零柵壓漏極電流)是指在當 VGS=0時，在指定的VDS下的DS之間漏電流，測試時推 薦使用一臺普賽斯S系列或P系列源表；

耐壓測試

        VDSS(漏源擊穿電壓)：是指在VGS=0的條件下，增 加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS值； 根據(jù)器件的規(guī)格不同，其耐壓指標也不一致，測試 所需的儀表也不同，擊穿電壓在300V以下推薦使用S 系列臺式源表或P系列脈沖源表，其最大電壓300V，擊 穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，最大電壓 3500V。

C-V測試 

        C-V測量常用于定期監(jiān)控集成電路的制造工藝，通 過測量MOS電容高頻和低頻時的C-V曲線，可以得到 柵氧化層厚度tox、氧化層電荷和界面態(tài)密度Dit、平帶 電壓Vfb、硅襯底中的摻雜濃度等參數(shù)。 分別測試Ciss(輸入電容)、Coss(輸出 電容)以及Crss(反向傳輸電容)。

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